【科研速递】新加坡团队首次实现硅基GaN HEMT在D波段功率放大应用 新加坡研究人员首次报道了在硅基（Si）衬底上制备的金刚石氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），该器件设计用于D波段（110–170GHz）射频（RF）频率范围，可实现超过0.1太赫兹（100GHz）的亚太赫兹（sub-THz）级操作。他们指出：“这是 新加坡 波段 hemt 功率放大 功率放大应用 2025-09-03 09:15 6